Mosfet  de tipo Incremental

Ya que el graduador  de un MOSFET esta aislado del canal, podemos aplicarle un voltaje positivo, como se muestra en la siguiente figura, el voltaje positivo en el graduador incrementa el numero de electrones libres que fluyen atraves del canal, cuanto mas positivo sea el voltaje en el graduador, mejor será la conducción de surtidor a drenador. La operación del MOSFET, con un voltaje positivo de graduador se basa en enriquecimiento de la conductividad del canal, esta operación recibe el nombre de enriquecimiento.



En cualquiera de los modos de de operación del MOSFET, a causa de de la capa aislante la corriente fluye por el graduador o compuerta es despreciable, la resistencia de entrada de un MOSFET es increíblemente alta, por lo común del orden de 10 000MΩ a 10 000 000 MΩ.

Curvas De Drenador

la siguiente figura muestra las curvas típicas de drenador para un Mosfet de canal N, junto con la línea de carga cc, para un circuito en configuración surtidor común, nótese que las curvas de la parte superior tienen un voltaje VGS positivo y las de la parte tienen un voltaje VGS negativo. La curva de drenador que se encuentra en la parte mas baja es cuando VGS = VGS(apg). A lo largo de esta curva la corriente de drenador es aproximadamente 0, cuando el voltaje VGS esta entre VGS(apag) y 0 ,se obtiene el modo de operación de empobrecimiento, por otro lado cuando el cuando el voltaje VGS es mayor que 0, se obtiene el modo de enriquecimiento. 



Curva de Transconductancia

La siguiente figura muestra la curva de transcondutancia de un MOSFET . IDSS sigue representando la corriente de drenador cuando el graduador y esta en corto, pero ahora la curva se extiende a la derecha del origen, como se observa en la figura.



la relación de la corriente de drenador y el voltajegraduador es todavía parabolico, por lo que puede aplicarse la ecuación siguiente.

ID = ISS {1- VGS/VGS(apg)}

Esta ecuación es igual a la ecuación de la ley cuadrática de un JFET. El valoe de VGS, sin embargo, puede ser ahora positivo o negativo. Los MOSFET con una curva de transconductancia como la de la figura anterior, son mas fáciles de polarizar que los JFET ya que pueden usarse el punto Q, mostrado en la siguiente figura, en este punto VGS=0 e ID=IDSS.