Mosfet De Tipo Empobrecimiento

En la siguiente figura muestra un mosfet de canal tipo n, una barra conductora de material tipo n con una región tipo p a la derecha y un graduador o compuerta aislada a la izquierda. Los electrones libres pueden fluir desde surtidor a drenador atreves del material tipo n, ola región tipo p recibe el nombre de sustrato; esta reduce físicamente la trayectoria de conducción a un canal angosto. Los electrones que fluyen del surtidor al drenador deben pasar a través de este canal angosto. A la derecha del canal se deposita una capa delgada de oxido de silicio (Sio2). El oxido de silicio es lo mismo que el vidrio; un aislante. en un MOSFET  el graduador o compuerta es metálica, ya que le graduador esta aislado del canal, la corriente de graduadores despreciable aun cuando el voltaje de graduador sea positivo.

La sgte figura muestra un mosfet con graduador polarizada negativamente. La alimentación VDD fuerza a los electrones libres a fluir del surtidor a drenador. Estos electrones fluyen atreves del canal angosto a la izquierda del sustrato tipo p. como antes, la tensión de graduador puede controlar el ancho del canal. Entre mas negativo sea el voltaje en el graduador mas pequeña será la corriente de drenador. Cuando el voltaje es lo suficientemente negativo, la corriente de drenador se corta. Por lo tanto con un voltaje negativo en el graduador, la operación de un MOSFET es similar a la de JFET.