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Formacion capa inversion
Las siguientes figuras muestran a un MOSFET de tipo de enriquecimiento de canal tipo N, el sustrato se extiende hasta el oxido de silicio; físicamente ya no se tiene un canal tipo N entre surtidor o fuente y el drenador. ¿Cómo funciona? La siguiente figura muestra las polaridades de polarización normal. Cuando VGS = 0m, la alimentación VDD trata de forzar el paso de los electrones libres del surtidor al drenador, pero el sustrato tipo p solo tiene unos pocos electrones producidos térmicamente en la banda de conducción. Exceptuando por estos portadores minoritarios y por alguna fuga supercial, la corriente entre surtidor y drenador es 0. Por esta razón, el MOSFET del tipo de enriquecimiento se conoce también un MOSFET normalmente apagado. El graduador y el sustrato tipo p son como las dos placas de un capacitor separadas por un dieléctrico (SIO2). Cuando el graduador es positiva induce cargas negativos en el sustrato tipo p. en otras palabras, el graduador positivo atrae electrones libres del surtidor al extremo izquierdo inferior de la región p. cuando el graduador es suficientemente positivo, puede atraer suficientes electrones libres para formar una capa delgada de electrones entre surtidor y drenador.
Voltaje umbral
El voltaje minimo Vgs que crea la capa inversora tipo N se denominavoltaje de umbral VGS(th). Cuando VGS es menor que VGS(th) no fluyr corriente del surtidor al drenador y fluye corriente.
Si VGS(th) puede variar de un valor que 1V a uno mayor que 5V, depende del dipositivo en particular que se este usando . el 3N169 es un Mosfet de tipo enriquecimiento, quie tiene un voltaje de umbral máximo de 1.5V.
Curvas de Drenador
La siguiente figura muestra una familia de curvas para un MOSFET del tipo de enriquecimiento de canal N, junto con la línea de carga de CC para un circuito en configuración surtido CS. La curva mas baja es la curva de VGS(th). cuando VGS es menor que VGS(th) la corriente de drenador es extremadamente pequeña. Cuando VGS es mayor que VGS(th)fluye una corriente considerable, cuyo valor depende de VGS.
CURVA DE TRANSCONDUCTANCIA
La siguiente figura muestra la curva de transconductacia. La curva es parabolica o de lay cuadrática. El vértice de la parábola esta en VGS(th)por esta causa, la ecuación de la parábola es diferente de la que solo se obtuvo anteriormente. Ahora es igual a:
IDS = K (VGS – VGS (th) º2
Donde K es una constante que depende del MOSFET en particular. Las hojas técnicas por lo regular dan las coordenadas para uno de los puntos de la curva de transconductacia, como se observa en las siguientes figuras, se puede despejar el valor de K. por ejemplo, si un MOSFET del tipo de enriquecimiento tiene ID(enc)= 8 mA, VGS(enc)= 5 V, y VGS(th) 3V, su bcurva de transconductacia es como la que se muestra en las anteriores figuras, cuando se sustituye estos valores en la ecuación.
0.008 = K(5-3)ª2 = 4 k
o
K = 0.002
Por lo tanto la ecuación de transconductancia
ID = 0.002 (VGS-3)ª2
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El transistor es un
dispositivo electrónico
semiconductor que cumple
funciones de amplificador,
oscilador, conmutador o
rectificador. El término "transistor"
es la contracción en inglés
de transfer resistor
("resistencia de transferencia").
Actualmente se los encuentra
prácticamente en todos los
enseres domésticos de uso
diario: radios, televisores,
grabadoras, reproductores
de audio y vídeo, hornos
de microondas, lavadoras,
automóviles, equipos de
refrigeración, alarmas,
relojes de cuarzo, computadoras,
calculadoras, impresoras,
lámparas fluorescentes,
equipos de rayos X,
tomógrafos, ecógrafos,
reproductores mp3,
celulares, etc. |
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El transistor fue descubierto
en diciembre de 1947 y
dado a conocer en Junio de
1948, en los Laboratorios
Bell por Bardeen, Brattain y
Shockley. Estos científicos
buscaban un sustituto de los
tubos de vacío, comúnmente
llamados válvulas. Descubrieron
el transistor de punta de contacto.
Más tarde Shockley creo el
transistor de unión. En Julio de 1951
los Laboratorios Bell anuncian la
creación de este dispositivo y
en Septiembre del mismo año
patentaron su tecnología de
fabricación para ambos tipos
de transistor vendiéndolas a
25000 dolares. Este fue el
principio de la industria del
transistor. Los primeros en
comprarlas fueron RCA,
Raytheon, General Electric,
Texas Instruments y Transitron.
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el transistor sirve para
innumerables aplicaciones!!
Sin tener en cuenta el "tipo"
de transistor, voy a mencionar
algunos usos, dejando claro
que no cualquier transistor
sirve para todo. se puede usar
como amplificador. (Amplificar
es aumentar la intensidad de
una señal manteniendo su
forma original) Pero puede ser
amplificador de tensión, de
corriente, de transconductancia,
de transresistencia o de potencia,
de acuerdo a la configuración del
circuito en el que se use.
Se usa para adaptar impedancias,
para fuentes reguladas de potencia,
para trabajar en conmutación,
como interruptor, para acoplar
distintas tecnologías de circuitos
integrados que no son compatibles,
para radiofrecuencia como
amplificadores sintonizados, etc.
Como diver o excitadores de
display de segmentos, etc.…
y otras mas… Un microprocesador
tiene millones de transistores
integrados que trabajan en
conmutacion!!!
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JOHANA CORDOBA
JAVIER MARTINEZ
ALEJANDRA CRUZ |
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